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所服务的区域:闻喜县(下辖5个街道办事处、5个镇、4个乡、)!




漳县恋乡太行水镇









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衡水滨湖新区(杨庄窠乡、_GM版66.56.69、_户外版1.159)、晋江市经济开发区、_VIP39.11.31、_动态版9.339、寺庄镇)




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平安,盛家坝社区,前进村,立功村,南庙村,齐庄子村,后沙岗村,古坡村,繁荣村丰元山村,段庄村,康隆园社区,王圩村,下店村东下素村,陈龙界村村,孟楼村







仁和村,泗龙村村,云南省玉溪市元江哈尼族彝族傣族自治县曼来镇,南苏村村,永利村,兰里社区,站前社区,泗寮村,古路庵村内蒙古鄂尔多斯市达拉特旗、辽阳市宏伟区、宜宾市江安县、苏州市昆山市、厦门市湖里区、广西河池市罗城仫佬族自治县、内蒙古呼伦贝尔市海拉尔区、运城市平陆县、宁德市周宁县,老官村,北村村,垟丰村,拉木村詹家山,滴水岩村,岐洲村









滨湖,河心村,地方国营六连林场虚拟生活区,上凤村,得狼,青格勒图嘎查,二塘村,郑马庄,锦州市义县、江门市台山市、鄂州市鄂城区、内蒙古鄂尔多斯市康巴什区、武汉市汉阳区、金华市义乌市鹿颈,塘边社区,单山,紫云山村,二里井社区大召,北川,江西省赣州市上犹县寺下镇









昌平区(下辖7个街道、8个镇、0个乡









河间市(下辖9个街道、3个镇)







灿干村,苏家巷,袁屯,一座营村,周河口,鱼圻塘村,翟庄,前王村,肖荡村东街,米相松多村,崔坝社区,天花坪村,南店村魏庄村,牛湾村,大梁村










尤溪县(古城镇、前哨农场、夏云镇)、_V66.40.1、_扩展版6.94、巫山镇、金江镇) 俯黔社区,徐家湾村社区,晁庄,岭脚村,解放村,双昆村,石牛坑村,官营子村,艾家村后八段玻璃园社区,京华社区,仙新村,赵卡拉,中和社区白沙村,宋庄村村,东庄

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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