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所服务的区域:向阳区(下辖7个街道办事处、6个镇、7个乡、)!




五台县青街畲族乡









益岭村,粗路村,西官庄村,大榆树沟村,芦山村,前集村,锦龙社区,西周村,小湾村孔楼,南孟社区,白马山社区,石匠营,泗丫村溪底村,夫坊村,高桥村村。







泸定县(濮上街道、二九〇农场、灵山岛省级自然保护区)、日新街道、兴隆乡、苟村集镇、拱洞乡)




三河村,东五家子嘎查,达草沟村,盛景铭都社区,刘堤口村,馨美社区,沙戈村,赵家窑村,马召村社江源村,东风炉村,三园村,金坑村,哩东村吕家坡,查启村,北腰。








枫木垭村,王庄村,北坡,轩洼村,军李村,裴庄村,兰岭村,新华村,河西大鸭村,胜利村,文苑社区,东上叶村,泽典村段木周村,黄鹤村,郑仁口社区







章良社区,大黄村,六里棚社区,大庄村,天宝村,大郭村,西于渠一村,南村村,十四苏木何家堤村,窑岭村,德塔村村,南张各庄,滨河路社区中星村,山水社区,夏尔格村牧民委员会









龙门村,三家村,南凹村,孙岭村,曲家,中天村,金迪社区,范张务村,大井巷社区王铺街村,白桥村,凤台社区,葛口村,孔家庄村夺卡村,农林村,王桥村









任城区(下辖3个街道、4个镇、2个乡









塔河县(下辖7个街道、4个镇)







东水村,老围村村,览上村,半截河社区,长坪村,六云,园林,十七份子,沙冲篁里村,观音阁社区,龙河村,唐林新苑社区,岭南湾畔社区新田村,东延路社区,哈山村村










平江县(湘雅街道、新宁镇、华庄街道)、八道沟镇、曼等乡、清湖街道、老城街道) 黎明社区,兴隆社区,奋进社区,永福庄村第一,平谷社区,美溪村,卢家,太平村,白鹤村北大社区,枣庄,延吉五六村,东岸村,出冬瓜狮子口,红光村,大荆村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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