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所服务的区域:襄垣县(下辖3个街道办事处、9个镇、4个乡、)!




龙湾区矿山路街道









沧河,朱家村,名邸社区,桃林村,木梳营村,孟道口村,东山底,方家庄中街村,木坪村建设社区,席杨村,程正沟,九龙观村,水磨村李家寨村,河沿刘,李二八寨村。







安阳县(下马渡镇、雄村镇、鸡街镇)、太平镇、李畋镇、金石镇、琴亭镇)




刘店村,檀山村,大湖村,太平庄村,新塘村,平安社区,万寿村,顺河,中沟村河南庄村,石埠子村,于庄村,航武嘉园,红寺村南仲寨村,石房,公园社区。








凤朝门社区,大埔村,前当堡村,倪王庄村,联合村村,溪下村,西南正村,黄湾村,银洞村东河社区,黄金朗,东河村,滹沱村,殷庄社区云溪村,杨芳村,全公亭社区







磺厂街社区,觉莫村,娄家村,光辉,沙河东村,下董寨村,王俊村,中心村,庄子赵家沟社区,陈家铺村,稠桑村,仁和社区,河口珠村社区,胜利村,三湾









锡山,怡园村村,李老庄,第三,药王庙村,原村村,江南村,大黄庄,马莲坝樟木里村,罗马林村,槐东社区,下坂村,普阳农场第八管理区大东峪村,潘岙村,合桩村









涪城区(下辖2个街道、6个镇、5个乡









东阳市(下辖6个街道、6个镇)







白庄子村,大坡,新南社区,浩力宝嘎查村,木赵村,王村畈,南漾村,马峰村,龙三村悦来村,硝洞村,大路王,东底张村,何坪村前沟村,店头村,罗墩村










沙湾区(红岭林场、秀峰街道、子午街道)、大山乡、临北回族乡、双峰山旅游渡假区、江宁开发区) 一社区,勒竹村,妙龙,南街村,河一村,金地社区,更生村,丰乐社区,营斗村云排岭社区,后申塘村,张庄村,昆南村,前丰社区惠丰村,袁寨,露湖村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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