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所服务的区域:鲁甸县(下辖9个街道办事处、5个镇、3个乡、)!




景县城关回族镇









沟东村,安徽省马鞍山市当涂县太白镇,先进,杨邑路社区,五霸岗西村,新民村,魏庄村,江苏省南通市海安市雅周镇,石脚楼工区生活区鑫鼎社区,苗岗村,洼刘营,城西社区,东毛坑村卧石西村,寻湖村,四川省眉山市洪雅县瓦屋山镇。







泾源县(乳阳林场、浮石街道、_复古款13.718)、招贤镇、大庙镇、珠固乡、马庄乡)




朝安东社区,高寨村,黄家窑村,古宅崖村,杨家山前村,许孙新村,牤牛营子,鲍庄村,谢湖村曹家庄,裕和村,北新里社区,文溪村,建北里社区东源县新港镇新源社区,六锦村,尚浦名邸。








庄里村,栗园村,胡桥村,谷峰村,义和社区,小北山社区,杨庄子村,庄家村,后胡村高场社区,河北省衡水市河北衡水高新技术产业开发区大麻森乡,周口市鹿邑县、天津市红桥区、内蒙古乌兰察布市集宁区、赣州市于都县、陵水黎族自治县椰林镇、中山市五桂山街道、吉安市万安县,越支三村村,热龙村赵庄村,河南省周口市川汇区许湾街道,干海子社区







苗村村,新疆维吾尔自治区吐鲁番市高昌区恰特喀勒乡,勤俭村,街道社区,牛窑,富兴村,帕隆巴村,上曹,杨南召什村嘉陵北里社区,尚宅村,中堡子村,海榆东社区,在拱村水基社区,四川桥,振兴新村









莲花营村,田家庄,小涂营,小江村,大北厂社区,王集,东发社区,良化北社区,牌楼村南王庄,胜利村,段庄村,河南红宇机械厂虚拟社区,前胜村云帆苑第二,富源村,东上疃村









合肥高新技术产业开发区(下辖2个街道、9个镇、9个乡









商城县(下辖3个街道、6个镇)







陈干村,楼台村,巴贡村,红山,梅园村,沙河岸,马官寨,四联,滕朋村黄莲棚村,夸西村,三五三零厂社区,赤岭村,十里岗分场生活区河涝坡社区,线庄,纪庄










突泉县(_轻量版1.391、_tool30.38.75、谭庄镇)、枣林街道、长埫口镇、_iShop50.98.71、_UHD款18.19.66) 金茶院村,城东社区,九连城村,王寨村,云南省红河哈尼族彝族自治州红河县阿扎河乡,祥和社区,金山村,彭庄村,西头村云会村村,武家沟村,长春村村,溪秀苑社区,团结社区向阳村,安宿村,新疆维吾尔自治区昌吉回族自治州昌吉市兵团蔡家湖镇分部

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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