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更新时间：2025-07-17 14:37:56　浏览次数： 062

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所服务的区域：沧州渤海新区（下辖3个街道办事处、7个镇、2个乡、）！

阿克苏市火烧坪乡

塆兴村，尕吾山，荷花，天翔社区，葛湖村，东后刘村，安城村，梁家垭村，韩河村玉石，东源县康禾镇南山，城门村，庞村社区，巴俄底丰满村，丽都社区，东站村。

滨江区（帮爱乡、平王乡、青化镇）、少普镇、晋原街道、宝华街道、全福街道）

岷山，大河沿村，北胜，河东村，虹桥社区，椽子沟村，洞头，下孙，范庄社区大山社区，鲜光村，杨庄村村，之溪路社区，戢家村金盆村，古泊村，白马村。

大皂村，树壕村村，松山社区，埔东村，大鲁社区，村仔村，盘石庄，牛骆北罗村，山城村杨家沟村，竹田头村，马石寨村，新玉村，民主里社区下田村，岗角村村，红五月村

前排村，东双塘村，康桥水榭社区，北代固，东泊子村，范家营村，曹湾，沪新，新发社区石凼村，肖桥村，华夏社区，沿港村，小富沟村羊圈沟村，锦一村，惠安社区

竹子园村，春风村，张郝村，游鱼井村，东乡，葛藤湾，军民社区，健民社区，扁担李宋场，西董村，赤坭村，白塔村，谷家左村平初村，岳王村，田集

城厢区（下辖5个街道、7个镇、1个乡

天柱县（下辖4个街道、3个镇）

广运潭西路社区，东寺庄，龙东村，湘沅村，宁益村，文湾村，张家村，大泊子村，富贵村小邯村，后康，焦湾，曙光社区，彭家春坪村，四美号，西城社区

乃东区（博爱县柏山镇、严道街道、泗交镇）、天马街道、崇业路街道、西沙城乡、凉雾乡）团结村，曙光农场第二管理区社区，樊坡村，白堡，乌岩村，隆桑村，外馆社区，农作村，纸坊沟村大石岭村，二街村，东姜家村，东正，杨梧村王楼村，琅琊徐村，黄水

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来