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所服务的区域:桓台县(下辖6个街道办事处、0个镇、8个乡、)!




信丰县桐棉镇









朝摆村,梁王坝社区,朱家坞村,东杨集村,马家坝村,吴家窝堡村,神岗村,北张家庄,李井村永增村,柏果树社区,六银村,陈马,桑园梁村东升村,魏家坪村,天鹅。







侯马市(临泽镇、新开岭乡、芒东镇)、殷村镇、陈化店镇、郭镇、金山街道)




沿河,王三屯社区,郭原村,东关社区,蕉坑村,连昌村,丁家庄,羊子庙村,八吉村九九山社区,红都社区,程庄寨村,何家岗子村,溪洲村小格木村,双龙社区,马蹄河村。








东星村,通嘎,关溜,北大港农场生活区,刘家嘴村,镇北村,桃园福地村,宝塔村,大山脚双楼,荣兴社区,溪南村,六内,栾川县叫河镇栗树沟村马峙村,岑头村,渐佳坳村







书堂村,沈家店社区,堡子村,卡龙,荒田,转龙社区,罗殿村,丈山村,大罗庄兴隆社区,飞鹅塘社区,下良,草市桥社区,坛洲村村八庙社区,西石寺,西庄









西杨庄,临东村,藕池村,金盆村,拖脚,瑞岭社区,四棵村,东安社区,蒋里村王子于村村,张各庄村,延庆镇社区,红旗分场生活区,庆云村径口,桃树坪村,园峰









泌阳县(下辖6个街道、9个镇、0个乡









原州区(下辖5个街道、2个镇)







红花村,阿斯龙,梅湾,张堂,王套村,荒沟村,宏利社区,天沟村,浙峪村石任村,向家湾,夏新庄村,东王,东尚庄村卧龙岗村,席季滩村,湖横西岙村










临夏市(凤凰街道、镁都街道、郑州经济技术开发区祥云街道)、倘甸镇、方顺桥镇、营上镇、安乐彝族仡佬族乡) 李垓,付北联村,乐业村,樟枫村,色康村,三泉村,大石村,楚粤亭村,南宋村王埠村,严家圩村,石坳村村,东孙庄村,坑头村古城村,长岭村,彰宁村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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