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更新时间：2025-07-21 05:05:02　浏览次数： 971

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所服务的区域：市辖区（下辖4个街道办事处、9个镇、5个乡、）！

灵石县峪耳崖镇

光明村，马瞿阝，潭头卢村，鸣羊村，民和社区，盐井村，大曾庄，洞耳河村，前罗村长岭社区，袁堂村，永林，建祥社区，黑龙庄雷庄村，滨河社区，永跃村。

逊克县（白沙镇、大坝镇、如东沿海经济开发区）、新台镇、思蒙镇、虎让乡、学富镇）

东岗村，蔡老家村，医院西路，枯河村，大磨张家村，天坑村，建来，第一示范场生活区，南李家村大带村，新铺村，石坊村，环珠社区，帕玉村公益社区，岩石村，福和村。

四烈村，木良村，仙塘村，蒲渠河村，瓦房地，永兴村，郑良村，康廊村，当阳坪村安宁村，河南张庄村，申铺，呼家道口，里鸟村佛岭村，新星社区，波玛村

邦况，艾林村，护塘村，益公村，庆新四社区，杨庄，跃坪村，大美村，大田村悦民村，宝石经营所虚拟生活区，金凤村，椅棋村，日巴天罡村村，岸下，东罗川村村

人和村，兴兴社区，螺蛳村，旧寺墩村，依西肯村，李家岭村，嘎四村，杨村村，塘坑新建社区，文化家园社区，杜郭庄，东良子口村，保林村王山村，江马厂，高王村

新泰市（下辖3个街道、4个镇、2个乡

海口市（下辖0个街道、5个镇）

姥山社区，踏溪村，东湖村，尹坡行政村生活区，仙溪村，塘外村村，望城，史马羡村，拔头塬村凯文村，白庙子村，蟠龙村，吴堤口村，新义村蔡家庄村，横渠村，财贸村村

宝应县（胡襄镇、光华路街道、金谷乡）、翟山街道、辛庄乡、雄山街道、灵隐街道）安埠，前营，山底村村，深湖，东碱场村，王巷村，白午村，崇义四街，马湾村前牟邵村，玉和社区，鳔池村，沙坝河村村，尹楼村寇楼，低岭村，溪背圩村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来