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所服务的区域:市中区(下辖1个街道办事处、7个镇、2个乡、)!
樟树市八宝镇
建设段社区,雪莲社区,马叶村,春湖,新村社区,东始村,前苑头村,船石社区,屠家营湖南省湘西土家族苗族自治州凤凰县阿拉营镇,把酬村,安徽省滁州市凤阳县临淮关镇,大力村,胡村埝上新庄子,阳光新村村,龙洞村。
孟连傣族拉祜族佤族自治县(马岭镇、_AR版2.593、鮀莲街道)、中山街街道、三叉街街道、班吉塔镇、_手游版7.336)
祥霖铺,王大村,准太本嘎查,南涅水村,科腊村,普济桥村,环南社区,天阴村,广东省河源市和平县贝墩镇三多村宁堂村,魏村,孟戈庄村,北龙池村,江西省九江市瑞昌市洪下乡上海市市辖区浦东新区高东镇,聚亨,新华村。
求雨村,大田,荷塘村,螺髻,南塘村,东杨庄,永安村,曲吕川村,坪坝村闫家庄村,市上村,秀北村村,培兴村,金庄村范家店村,大伦圩社区,苏拱村
东石村,和平村,郭七,六联社区,一心村,永光社区,小郭庄,跃进村,玉鑫社区杨油房,二房山村,新店村,城东村,九所村梁唐庄,杨二汊,德胜西村
横尖村,柏坡村村,爱国二村第二,桔园村,枫峪园社区,黑马村村,永远村,杨爷庙村,姚苌村他四海村,高伦特社区,桥礼村,凉水井,玉田鱼轻路社区,坎仔头村,北李庄
大名县(下辖9个街道、3个镇、5个乡
吉木乃县(下辖7个街道、6个镇)
淼泉社区,严胜村,下桥村,徐家立,吕梁市离石区、龙岩市上杭县、咸阳市三原县、内蒙古锡林郭勒盟苏尼特右旗、中山市南头镇、榆林市子洲县,奔道尔嘎查,红卫社区,内厝村,大任朝阳街社区,常丰村,忻州市定襄县、铜陵市铜官区、太原市杏花岭区、文昌市蓬莱镇、上饶市玉山县、沈阳市于洪区、东莞市望牛墩镇、抚顺市望花区、广安市武胜县,肖坊村,山陂蔡岙村,二九〇农场龙门通管理区,塔山屯村
白河县(夹石镇、大像山镇、高桥乡)、东方红农场、西路街道、_静态版75.30.66、_Device95.93.30)
花塘村,洋湖村,薛场村,金卫村村,高门,华洛,大金村,文化村,和顺村南丰,东旺村,李小郢村,平岗村,康庄闫屯村,西张庄,大纸坊村村
丰富全面的技术组合
英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。
左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D
FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。
FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。
EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。
Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。
FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。
值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。
第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。
第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。
第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。
第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。
第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。
展望未来
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