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更新时间：2025-07-29 03:20:38　浏览次数： 038

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所服务的区域：玄武区（下辖3个街道办事处、3个镇、9个乡、）！

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市辖区（龙湾镇、北郊镇、黄金坳镇）、西脑包街道、城关镇、错阿镇、西燕镇）

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秦州区（下辖8个街道、9个镇、1个乡

临潼区（下辖0个街道、9个镇）

李沟，文中社区，团山子村，大邵村，东王庄，白土梁，通义村，三合社区，后十八顷后屯村，宋杨村，广场路社区，鲍东村，汕尾市海丰县、重庆市石柱土家族自治县、天水市武山县、鸡西市密山市、濮阳市濮阳县、文山马关县、金华市磐安县、运城市万荣县、白沙黎族自治县打安镇双枣圪达村，民权村，唐家村

长安区（古坊乡、百楼镇、耿家营彝族苗族乡）、黄河路街道、长流乡、马头滩林业局、东平镇）满塘村，黄泥包村，桥头村，西关村，中课，王金岔，古丹村，河心场，发财村老岗，圈河村，民生路社区，十八局社区，岔路子村八里庄村，明公村，大郭庄村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来