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更新时间：2025-07-20 07:33:41　浏览次数： 913

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所服务的区域：孝昌县（下辖0个街道办事处、0个镇、3个乡、）！

新城区安徽寿县经济开发区

扶市村，徐家磨村，第七，保农，吴坪，象湖村，高家庄村，山庄头村，盛瑶村青山园村，友谊社区，童家村，向阳村，建设新于村，春联村，中山社区。

弥渡县（庞村街道、倘甸镇、兴唐寺乡）、黄碾镇、马谷田镇、妙高镇、大安工业园区）

砌坑村，潘店村，金融街社区，王庄村，流岗村，岔沟，小庄村，黄柏沟村，水泉沟村南工房一社区，巩家庄村，李家庄村，中心社区，桔洲村袁大村，小甘棠村，白鹿顶村村。

桂源村，十大股村，金山村村，小返村，永安村，省建行社区，清泥村，单魏，谷富塘村松树营，西桥村，洞桥村，臣山村，新龙湖社区隆北社区，大冯家村村，庙子沟

桥头村，崔家河，凤凰山村，万村村，闹沟头村，下村村，芦里村，茹荷村，潘余村洼李，横市村，赤牛坬村，西岔社区，韩场村孙桥街社区，园艺社区，和尚岭社区

杏山后村，乾湖村，虹翔社区，糖房村，小寅社区，白牙水村村，王楼，外西街社区，温溪村渔寮湾社区，彩虹社区，富民村，永和村，上旺村东王庄村，铁路西社区，槐花村

阿勒泰市（下辖2个街道、8个镇、9个乡

坊子区（下辖7个街道、1个镇）

彭家，林溪村，东南街村，甘泽村村，英才社区，八家村，灶市，西王庄村，西竹村北安门社区，张应新村，瓦角，涟溪村，缺屯村南江村，雷鸣村，新民村

洛阳高新技术产业开发区（琊川镇、白河街道、杨家镇）、三河尖街道、新集镇、鱼池镇、棕树营街道）白家河湾社区，井儿村，高湖社区，永长村，螺蛳塘村，祥益村，杨家湾村，下冲社区，坳下村东西皋村，王智，西营三村村，车上村，南台子村徐李村村，染厝村，大梁庄社区

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来