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更新时间：2025-07-28 14:18:31　浏览次数： 702

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所服务的区域：庐阳区（下辖6个街道办事处、4个镇、8个乡、）！

睢阳区桃陂镇

传子沟，洞井社区，塘边村，北葛寨，隆恩寺社区，任家村，波浪后村，林泉村，林溪村铁公泡子村，广西壮族自治区梧州市长洲区红岭街道，靖思村，东韦村，豆办集村四间村，法源寺社区，海口市琼山区、梅州市梅江区、黄南同仁市、昭通市鲁甸县、南平市政和县、兰州市皋兰县、大连市甘井子区、运城市万荣县、济南市长清区、鸡西市麻山区。

九台区（堡子坝镇、罗坪镇、长寨街道）、沱江镇、_3D78.61.43、旭日街道、汝城经济开发区）

荷叶哈达嘎查，福兴村，灰岭子村，杏园社区，四川省巴中市南江县杨坝镇，禾凤社区，万顺村，扬眉寺村，达哇村柳家台，哈布其勒村村，堂排村，心怡路社区，石富村野虎沟村，夏家园社区，田庄村。

和恬村，南门村，六棱村，西街社区，协塘，宋家庄社区，江渡村，凯润社区，新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治州伊宁市喀赞其街道贾作，毛河村，山碧村，河南省信阳市商城县伏山乡，青岗集东王庄，何家，神华社区

中庄，大麻，梅街村，帐房瞿阝村，张兵备，梁桥村，胡庵庙，洪桥，仲堤圈南街上费村，松树秧村，宁夏村，赤岭村，孚庆集村东大格庄村，北赵庄村，贺庄村

官路村，中堡村，新红社区，戈牛，斜桥村，日出东方社区委员会，八斗村，拉木社区，桃元崔家村，洪石村，西藏自治区那曲市色尼区那么切乡，山陇村，古华第三永乐，建设村，新堡村

丰南区（下辖9个街道、2个镇、3个乡

金东区（下辖7个街道、1个镇）

崔庄村，鸳鸯，线路新村社区，江西省吉安市峡江县金江乡，岜仑，永田村，北蔺家庄村，南山村，第六飞来石村，涧沟村，板城村，上裴庄村，远陵夼村边连坪村，琯头村，流河一村村

威海临港经济技术开发区（均桥镇、洗新乡、_iShop88.80.74）、西郊乡、_X38.995、高陵镇、_粉丝款44.921）华腾社区，庄寨村，准特花社区，樊家，花墙门社区，东桑庄村村，民心佳园三社区，大田村，林家溪村石窑坪村，韩家峪，兴旺社区，建元村，四庄村城东路社区，郭庄砦村，北街村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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